Ученые ТГТУ представили доклад на Научной Сессии РАН

26 ноября в Российской академии наук состоялась Научная Сессия «Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем». Сотрудники кафедры «Физика» ТГТУ представили свои результаты. Доклад проф. Моргунова Р.Б. и в.н.с. Коплак О.В. был посвящен магнитной релаксации в спиновых вентилях и возможности их применения в качестве биосенсоров.

 

Как известно, спиновые вентили, обладающие перпендикулярной анизотропией и демонстрирующие гигантское магнитосопротивление (ГМС), обеспечивают широкое их применение в качестве биосенсоров, в клинической диагностике, доставке лекарств, фармацевтических измерениях, геномных технологиях и т.д. Гетероструктуры ГМС CoFeB/Ta/CoFeB были предложены и применены для измерения концентрации магнитомаркированных клеток. Предварительно хорошо аттестованные платформы ГМР, покрытые белковыми клетками с магнитными метками, связанными с антигеном Anti-LGR5, демонстрировали высокую чувствительность к магнитным полям рассеяния от ферромагнитных наночастиц α-Fe2O3. Было показано, что отдельные магнитные наночастицы и их ансамбли вызывают локально неоднородную намагниченность ферромагнитного слоя CoFeB в спиновом вентиле MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO/GaAs. Чувствительность поля переключения к частицам составляет ~ 5 ·104 магнитомеченных клеток на 1 Oe, т.е. достаточно высокая для надежных измерений концентрации клеток.

Доклады, представленные на Научной Сессии, были посвящены современному состоянию проводимых исследований в области спинтроники и перспектив создания элементной базы на ее основе. Были рассмотрены возможности использования гетероструктур на основе тяжелых металлов/ферро- или антиферромагнетик для элементной базы вне КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник - CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor). Были представлены результаты разработки физических основ КМОП-совместимой технологии резистивной и сегнетоэлектрической памяти на новых материалах. Современное направления применение графена, алмаза и алмазоподобных материалов в приборах микро и наноэлектроники было также представлено на научной Сессии. Приглашение наших сотрудников на семинар РАН свидетельствует об актуальности направления, которым занимаются на кафедре «Физика» Тамбовского государственного технического университета.

 

  • Прочитано 437 раз

Оставить комментарий

Наверх